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據悉，氧化鎵 ( Ga2O3 ) 是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵相比，氧化鎵基功率器件具備高耐壓、低損耗、高效率、小尺寸等特點。氧化鎵因其基板制作相較于SiC與GaN更容易，又因為其超寬禁帶的特性，材料所能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場，使其在超高功率元件之應用極具潛力。

而據了解，禁帶寬度越大，越能增加寬禁帶器件能夠承受的峰值電壓，器件的輸出功率可以大大提高。同時，禁帶寬度越大，器件的化學穩定性越高，使功率器件能夠在更惡劣的環境下工作，大大提高了系統的穩定性和可靠性。

氮化鎵通常依靠復雜的工藝在硅、碳化硅或藍寶石基底上生長。不過，這些基底的晶體結構明顯不同于氮化鎵的晶體結構，這種差異會造成基底和氮化鎵之間的“晶格失配”，從而產生大量缺陷，比如導致電荷被卡住。氧化鎵由于作為自己的基底，所以不存在不匹配的情況，也就沒有缺陷。正是基于氧化鎵的高適應性，使用者能夠借用各種各樣的既有商業光刻和加工技術，根據需要制造氧化鎵晶體大晶圓，而大晶圓就意味著成本的顯著下降。

氧化鎵此前被用于光電領域的應用，直到2012年開始，業內對它更大的期待是用于功率器件，全球 80% 的研究單位都在朝著該方向發展。近年來，氧化鎵半導體已成為半導體國際研究熱點和大國技術競爭制高點。

今年，中國科技部將氧化鎵列入“十四五重點研發計劃”，讓第四代半導體獲得更廣泛關注。5月10日，浙大杭州科創中心首次采用新技術路線成功制備2英寸 (50.8 mm)的氧化鎵晶圓，而使用這種具有完全自主知識產權技術生長的2英寸氧化鎵晶圓在國際上為首次。

據悉，氧化鎵材料以中電科四十六所、山東大學、深圳進化半導體、中科院上海光機所、北京鎵族科技、杭州富加鎵業等單位為主力。值得注意的是，進化半導體方面表示，正在開發6英寸的氧化鎵材料，今年應該可以實現2英寸材料的小批量供應。

另外，據此前市場消息，近期，北京銘鎵半導體有限公司(簡稱“銘鎵半導體”)使用導模法成功制備了高質量 4 英寸(001)主面氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，完成了 4 英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且進行了多次重復性實驗，成為國內首個掌握第四代半導體氧化鎵材料 4 英寸(001)相單晶襯底生長技術的產業化公司。

6月30日，銘鎵半導體完成近億元A輪融資，本輪融資將主要用于氧化鎵項目的擴產與研發，預計2023年底將建成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產業線。

8月1日，順義科創集團與銘鎵半導體簽訂承租合同，將騰退的工宇園區989平方米老廠房變身為氧化鎵配套實驗室。值得注意的是，氧化鎵擴大加工線及潔凈室落地工宇園區是銘鎵半導體擴產的第一步，2023年底完成擴產計劃后，銘鎵半導體將建成上述產業線，成為年產千片以上規模的氧化鎵材料企業，滿足下游100多家器件設計、制造封裝工業企業與科研院所的材料供應需求。

相關概念股：

新湖中寶(600208.SH)：公司持有杭州富加鎵業科技有限公司 22% 股權，富加鎵業依托于中科院上海光機所，專注研究新型半導體材料 -- 氧化鎵 ( Ga2O3 ) ，目前基于 β 氧化鎵的晶體制備及其功率器件開發已取得一定進展。

中新集團(601512.SH)：全資蘇州中新園創一期股權投資合伙企業 ( 有限合伙 ) 參股蘇州納維科技有限公司，后者全資子公司上海鎵旦電子信息有限公司擁有專利：一種散熱性好的 Ga2O3 基金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制備方法。

航天電子(600879.SH)：全資子公司北京時代民芯科技有限公司的抗輻照 GaN/Ga2O3 的 Cascode 級聯增強型功率器件及其制作方法、單片集成 GaN/Ga2O3 的 Cascode 增強型抗單粒子燒毀器件及其制備方法、單粒子效應加固的印刷轉移 GaN/Ga2O3 Cascode 功率器件均已進入實質審查階段。

三安光電(600703.SH)：子公司湖南三安致力于第三代化合物半導體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發，占領第三代半導體核心領域制高點。

深圳華強(000062.SZ)：通過參股泰科天潤半導體科技(北京)有限公司間接參股瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司，瀏陽泰科天潤擁有基于 Ga2O3 耐壓耐電流 SiCPIN 二極管的專利。

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